Магнит датчика GMR

Некоторое введение датчика GMR

Датчики угла и положения, основанные на эффекте гигантского магнитосопротивления (GMR), широко используются в станках с ЧПУ, измерениях скорости транспортных средств, бесконтактных переключателях и поворотных энкодерах. Датчик GMR имеет низкую мощность и громкость, при этом надежность и выходной сигнал относительно высоки.

Что такое эффект гигантского магнитосопротивления (GMR)?

Эффект магнитосопротивления относится к изменению сопротивления проводника и полу-проводника под действием магнитного поля, поэтому значение магнитосопротивления более чем в 10 раз выше, чем у магнитного металла, и это явление называется эффектом гигантского магнитосопротивления (ГМС). Эффект гигантского магнитосопротивления (ГМС) был открыт Питером Грюнбергом и Альбертом Фертом в 1988 году, и поэтому они получили Нобелевскую премию за свое открытие в 2007 году.

Один из магнитных слоев рассматривается как эталонный слой, который имеет фиксированное направление намагниченности, а другой называется свободным слоем, направление намагниченности которого изменяется в зависимости от направления внешнего параллельного магнитного поля. Прокладка между свободным слоем и эталонным слоем сделана из немагнитной тонкой пленки. Величина гигантского магнитосопротивления определяется прилежащим углом направления намагниченности двух слоев. Наименьшее значение будет получено, когда направление намагниченности свободного слоя и эталонного слоя одинаково, а противоположное направление будет иметь самое высокое значение гигантского магнитосопротивления.

О магните датчика GMR

Следует отметить, что датчик GMR и датчик Холла обнаруживают горизонтальное магнитное поле и вертикальное магнитное поле относительно местоположения магнита соответственно. Работа датчика GMR предъявляет определенные требования к напряженности магнитного поля, поэтому магнит датчика GMR должен обеспечивать достаточно сильную напряженность магнитного поля в заданном воздушном зазоре. Либо слишком большая, либо слишком слабая напряженность поля дополнительно увеличит угловое отклонение. Низкая напряженность поля не может управлять направлением намагниченности свободного слоя в соответствии с внешними магнитными полями, а слишком мощная напряженность поля будет влиять на направление намагниченности эталонного слоя. Hongyu также накопила большой опыт в области магнитов датчиков GMR, и Hongyu предоставит подробное техническое решение в соответствии с требованиями к воздушному зазору, диапазону температур и стабильности.